ການອ້າງອິງມາດຕະຖານທີ່ນໍາໃຊ້ໂດຍ Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co ໃນການຜະລິດ diode ການເຊື່ອມໂລຫະແມ່ນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
1. GB/T 4023—1997 ອຸປະກອນແຍກກັນຂອງອຸປະກອນເຊມິຄອນດັກເຕີ ແລະວົງຈອນປະສົມປະສານ ພາກທີ 2: ໄດໂອດ rectifier
2. GB/T 4937—1995 ວິທີການທົດສອບກົນຈັກ ແລະ ສະພາບອາກາດສໍາລັບອຸປະກອນເຊມິຄອນດັກເຕີ
3. JB/T 2423—1999 ອຸປະກອນ Semiconductor ພະລັງງານ – ວິທີການສ້າງແບບຈໍາລອງ
4. JB/T 4277—1996 ການຫຸ້ມຫໍ່ອຸປະກອນ Semiconductor ພະລັງງານ
5. JB/T 7624—1994 ວິທີທົດສອບ Rectifier Diode
ຮູບແບບແລະຂະຫນາດ
1. ຊື່ຕົວແບບ: ຮູບແບບຂອງ diode ການເຊື່ອມໂລຫະຫມາຍເຖິງກົດລະບຽບຂອງ JB / T 2423-1999, ແລະຄວາມ ໝາຍ ຂອງແຕ່ລະສ່ວນຂອງຕົວແບບແມ່ນສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 1 ຢູ່ຂ້າງລຸ່ມນີ້:
2. ສັນຍາລັກກຣາບຟິກ ແລະເຄື່ອງໝາຍປາຍທາງ (ຍ່ອຍ).
ສັນຍາລັກກາຟິກແລະການກໍານົດຈຸດຫມາຍປາຍທາງແມ່ນສະແດງຢູ່ໃນຮູບທີ 2, ລູກສອນຊີ້ໄປຫາປາຍ cathode.
3. ຮູບຮ່າງແລະຂະຫນາດການຕິດຕັ້ງ
ຮູບຮ່າງຂອງ diode ເຊື່ອມແມ່ນ convex ແລະປະເພດແຜ່ນ, ແລະຮູບຮ່າງທີ່ມີຂະຫນາດຄວນຈະຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຮູບ 3 ແລະຕາຕະລາງ 1.
| ລາຍການ | ຂະໜາດ (ມມ) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Cathode flange (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Cathode ແລະ anode Mesa (D1) | 44±0.2 | 57±0.2 | 68±0.2 |
| ເສັ້ນຜ່າສູນກາງສູງສຸດຂອງວົງແຫວນເຊລາມິກ (D2ສູງສຸດ) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| ຄວາມໜາທັງໝົດ (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| ຂຸມຕໍາແຫນ່ງ Mount | ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງຂຸມ: φ3.5±0.2mm, ຄວາມເລິກຂອງຂຸມ: 1.5±0.3mm | ||
ການຈັດອັນດັບແລະຄຸນລັກສະນະ
1. ລະດັບພາລາມິເຕີ
ຊຸດຂອງແຮງດັນສູງສຸດທີ່ຊໍ້າຊ້ອນກັນ (VRRM) ແມ່ນຕາມທີ່ລະບຸໄວ້ໃນຕາຕະລາງ 2
ຕາຕະລາງ 2 ລະດັບແຮງດັນ
| VRRM(v) | 200 | 400 |
| ລະດັບ | 02 | 04 |
2. ຈໍາກັດຄ່າ
ຄ່າຈຳກັດຈະຕ້ອງປະຕິບັດຕາມຕາຕະລາງ 3 ແລະນຳໃຊ້ກັບຊ່ວງອຸນຫະພູມທັງໝົດ.
ຕາຕະລາງ 3 ຈໍາກັດມູນຄ່າ
| ຈຳກັດມູນຄ່າ | ສັນຍາລັກ | ໜ່ວຍ | ມູນຄ່າ | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| ອຸນຫະພູມກໍລະນີ | ກໍລະນີ | ℃ | -40～85 | |||
| ອຸນຫະພູມຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ທຽບເທົ່າ (ສູງສຸດ) | T(vj) | ℃ | ໑໗໐ | |||
| ອຸນຫະພູມການເກັບຮັກສາ | Tstg | ℃ | -40～170 | |||
| ແຮງດັນໄຟຟ້າສູງສຸດຊ້ຳຊ້ອນ (ສູງສຸດ) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| ແຮງດັນສູງສຸດແບບປີ້ນກັບກັນທີ່ບໍ່ຊໍ້າຊ້ອນ (ສູງສຸດ | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| ກະແສສະເລ່ຍສົ່ງຕໍ່ (ສູງສຸດ) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| ກະແສໄຟຟ້າໄປໜ້າ (ບໍ່ຊ້ຳກັນ) ກະແສໄຟຟ້າແຮງ (ສູງສຸດ) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (ສູງສຸດ) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| ແຮງຕິດຕັ້ງ | F | kN | 22–24 | 30–35 | 45–50 | 52–57 |
3. ຄຸນລັກສະນະ
ຕາຕະລາງ 4 ຄ່າລັກສະນະສູງສຸດ
| ລັກສະນະແລະເງື່ອນໄຂ | ສັນຍາລັກ | ໜ່ວຍ | ມູນຄ່າ | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| ແຮງດັນສູງສຸດສົ່ງຕໍ່IFM=5000A, ທj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Reverse repetical peak currentTj=25℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ Junction-to-case | Rjc | ℃/ວ | 0.01 | 0.006 | 0.004 | 0.004 |
| ຫມາຍເຫດ: ສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການພິເສດກະລຸນາປຶກສາ | ||||||
ໄດ້diode ການເຊື່ອມຜະລິດໂດຍ Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນເຄື່ອງເຊື່ອມຄວາມຕ້ານທານ, ເຄື່ອງເຊື່ອມຄວາມຖີ່ຂະຫນາດກາງແລະສູງເຖິງ 2000Hz ຫຼືສູງກວ່າ.ດ້ວຍແຮງດັນໄຟຟ້າສູງສຸດຕໍ່ຫນ້າ, ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາສຸດ, ເຕັກໂນໂລຢີການຜະລິດສິລະປະ, ຄວາມສາມາດໃນການທົດແທນທີ່ດີເລີດແລະການປະຕິບັດທີ່ຫມັ້ນຄົງສໍາລັບຜູ້ໃຊ້ທົ່ວໂລກ, diode ການເຊື່ອມໂລຫະຈາກ Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor ແມ່ນຫນຶ່ງໃນອຸປະກອນທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ທີ່ສຸດຂອງພະລັງງານຂອງຈີນ. ຜະລິດຕະພັນ semiconductor.
ເວລາປະກາດ: 14-06-2023