ມາດຕະຖານ 1.IEC ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອລັກສະນະຂອງ thyristor, ການປະຕິບັດ diode, ລັກສະນະຫຼາຍສິບຕົວກໍານົດການ, ແຕ່ຜູ້ໃຊ້ມັກຈະໃຊ້ສິບຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ, ບົດຄວາມນີ້ສັ້ນໆ thyristor / diode ຂອງຕົວກໍານົດການຕົ້ນຕໍ.
2.Average Forward Current IF (AV) (rectifier) ​​/ Mean on-state current IT (AV) (Thyristor): ຖືກກໍານົດໃນເງື່ອນໄຂຂອງອຸນຫະພູມອ່າງເກັບຄວາມຮ້ອນຫຼືອຸນຫະພູມກໍລະນີ TC THS ໃນເວລາທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ໄຫຼຜ່ານສູງສຸດຂອງເຄິ່ງ sine ຂອງອຸປະກອນ. ຄື້ນສະເລ່ຍໃນປະຈຸບັນ.ໃນຈຸດນີ້, ອຸນຫະພູມທາງເຊື່ອມຕໍ່ໄດ້ເຖິງອຸນຫະພູມສູງສຸດທີ່ອະນຸຍາດຂອງມັນ Tjm.ຄູ່ມືຜະລິດຕະພັນຂອງບໍລິສັດ LMH ໃຫ້ປະຈຸບັນທີ່ເຫມາະສົມກັບອຸນຫະພູມຊຸດຄວາມຮ້ອນ THS ຫຼືຄ່າ TC ຂອງກໍລະນີ, ຜູ້ໃຊ້ຄວນຈະອີງໃສ່ຕົວຈິງໃນສະຖານະປະຈຸບັນ, ແລະເງື່ອນໄຂຄວາມຮ້ອນເພື່ອເລືອກຮູບແບບທີ່ເຫມາະສົມຂອງອຸປະກອນ.
3.Forward root mean square current IF (RMS) (rectifier) ​​/ On-state RMS Current IT (RMS) (Thyristor): ຖືກກໍານົດໃນເງື່ອນໄຂຂອງອຸນຫະພູມອ່າງເກັບຄວາມຮ້ອນຫຼືອຸນຫະພູມກໍລະນີ TC THS ໃນເວລາທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ໄຫຼຜ່ານສູງສຸດຂອງອຸປະກອນ. ມູນຄ່າປັດຈຸບັນທີ່ມີປະສິດທິພາບ.ໃນ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​, ຜູ້​ໃຊ້​ຈະ​ຕ້ອງ​ຮັບ​ປະ​ກັນ​ວ່າ​ໃນ​ສະ​ພາບ​ການ​ໃດ​ຫນຶ່ງ RMS ໄຫລ​ຜ່ານ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ຂອງ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ບໍ່​ເກີນ​ທີ່​ສອດ​ຄ້ອງ​ກັນ​ຂອງ​ຄ່າ​ປັດ​ຈຸ​ບັນ​ມົນ​ທົນ​ສະ​ເລ່ຍ​.
4.Surge current IFSM (rectifier), ITSM (SCR)
ເປັນຕົວແທນເຮັດວຽກຢູ່ໃນສະຖານະການຍົກເວັ້ນ, ອຸປະກອນສາມາດທົນກັບຄ່າ overload ສູງສຸດທັນທີທັນໃດ.10ms ເຄິ່ງ sine wave ທີ່ມີຈຸດສູງສຸດທີ່ LMH ໄດ້ຖືກມອບໃຫ້ຢູ່ໃນຄູ່ມືຜະລິດຕະພັນ inrush ມູນຄ່າປະຈຸບັນແມ່ນອຸນຫະພູມ junction ສູງສຸດທີ່ອະນຸຍາດຂອງອຸປະກອນແມ່ນພາຍໃຕ້ 80% VRRM ນໍາໃຊ້ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂອງຄ່າການທົດສອບ.ໃນຕະຫຼອດຊີວິດຂອງອຸປະກອນສາມາດທົນທານຕໍ່ກະແສ inrush ໄດ້ຖືກຈໍາກັດໂດຍຈໍານວນຜູ້ໃຊ້ໃນການນໍາໃຊ້ຄວນພະຍາຍາມຫຼີກເວັ້ນການ overload.
5.Non repetitive peak off-state voltage VDSM / Non repetitive peak reverse voltage VRSM: ຫມາຍເຖິງ thyristor ຫຼື rectifier diode ແມ່ນຕັນລັດສາມາດທົນແຮງດັນ breakover ສູງສຸດ, ປົກກະຕິແລ້ວມີການທົດສອບກໍາມະຈອນດຽວເພື່ອປ້ອງກັນຄວາມເສຍຫາຍອຸປະກອນ.ຜູ້​ໃຊ້​ໃນ​ການ​ທົດ​ສອບ​ຫຼື​ຄໍາ​ຮ້ອງ​ສະ​ຫມັກ​, ຈະ​ຖືກ​ຫ້າມ​ໃຫ້​ແຮງ​ດັນ​ທີ່​ນໍາ​ໃຊ້​ກັບ​ອຸ​ປະ​ກອນ​, ເພື່ອ​ຫຼີກ​ເວັ້ນ​ການ​ຄວາມ​ເສຍ​ຫາຍ​ກັບ​ອຸ​ປະ​ກອນ​.
6.Repetitive peak off-state voltage VDRM / Repetitive peak reverse voltage VRRM: ຫມາຍຄວາມວ່າອຸປະກອນຢູ່ໃນລັດສະກັດກັ້ນ, off-state ແລະ reverse ສາມາດທົນແຮງດັນໄຟຟ້າສູງສຸດຊ້ໍາຊ້ອນ.ໂດຍທົ່ວໄປອຸປະກອນບໍ່ໄດ້ເຮັດຊ້ໍາເຄື່ອງຫມາຍແຮງດັນ 90% (ອຸປະກອນແຮງດັນສູງທີ່ບໍ່ຊ້ໍາກັນໃຊ້ເວລາເຄື່ອງຫມາຍຫນ້ອຍ 100V).ຜູ້​ໃຊ້​ໃນ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຕ້ອງ​ຮັບ​ປະ​ກັນ​ວ່າ​ໃນ​ກໍ​ລະ​ນີ​ໃດ​ກໍ​ຕາມ​, ບໍ່​ຄວນ​ອະ​ນຸ​ຍາດ​ໃຫ້​ອຸ​ປະ​ກອນ​ທີ່​ຈະ​ທົນ​ກັບ​ແຮງ​ດັນ​ທີ່​ແທ້​ຈິງ​ເກີນ​ຄວາມ​ແຮງ​ດັນ​ທີ່​ບໍ່​ມີ​ລັດ​ຂອງ​ຕົນ​ແລະ​ແຮງ​ດັນ​ສູງ​ສຸດ repetitive reverse​.
7.Repetitive peak off-state (ຮົ່ວ) ໃນປັດຈຸບັນ IDRM / Repetitive peak reverse (ຮົ່ວ) IRRM ໃນປັດຈຸບັນ
Thyristor ຢູ່ໃນລັດຂັດຂວາງ, ເພື່ອທົນກັບແຮງດັນໄຟຟ້າສູງສຸດທີ່ຊ້ໍາກັນ VDRM ແລະ VRRM ແຮງດັນ repetitive peak repetitive, ການໄຫຼໄປຂ້າງຫນ້າແລະປີ້ນກັບກັນໂດຍຜ່ານອົງປະກອບຂອງກະແສໄຟຟ້າສູງສຸດ.ພາລາມິເຕີນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ອຸປະກອນເຮັດວຽກພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມຈຸດສູງສຸດ Tjm ວັດແທກ.
8.Peak on-state voltage VTM (SCR) / Peak forward voltage VFM (rectifier)
ຫມາຍເຖິງອຸປະກອນໂດຍ predetermined forward peak current IFM (rectifier) ​​​​ຫຼື peak current state ITM (SCR) is the peak voltage , also known as peak voltage drop .ພາລາມິເຕີນີ້ສະທ້ອນໂດຍກົງເຖິງຄຸນລັກສະນະຂອງການສູນເສຍໃນລັດຂອງອຸປະກອນ, ຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມສາມາດໃນການຈັດອັນດັບໃນປະຈຸບັນຂອງອຸປະກອນ.
ອຸປະກອນທີ່ຄ່າປະຈຸບັນທີ່ແຕກຕ່າງກັນພາຍໃຕ້ແຮງດັນສູງສຸດຂອງ on-state (ໄປຂ້າງຫນ້າ) ສາມາດປະມານດ້ວຍແຮງດັນແລະຕົວຕ້ານທານຄວາມຊັນ, ເວົ້າວ່າ:
VTM = VTO + rT * ITM VFM = VFO + rF * IFM
ດໍາເນີນການບໍລິສັດ Austrian ໃນຄູ່ມືຜະລິດຕະພັນສໍາລັບແຕ່ລະຕົວແບບແມ່ນໃຫ້ຢູ່ໃນອຸປະກອນສູງສຸດ on-state (ສົ່ງຕໍ່) ແຮງດັນສູງສຸດແລະແຮງດັນທີ່ໃກ້ຈະເຂົ້າສູ່ແລະຄວາມຕ້ານທານ slope, ຜູ້ໃຊ້ຕ້ອງການ, ທ່ານສາມາດສະຫນອງແຮງດັນຂອງເກນອຸປະກອນແລະຄວາມຊັນຂອງຄວາມຕ້ານທານທີ່ວັດແທກໄດ້. ຄ່າ.
9.Circuit commutated turn-off time tq (SCR)
ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ລະບຸໄວ້, ກະແສໄຟຟ້າຕົ້ນຕໍຂອງ thyristor ໄປຂ້າງຫນ້າຫຼຸດລົງຫຼາຍກວ່າສູນ, ຈາກການຂ້າມສູນເພື່ອໃຫ້ສາມາດທົນກັບແຮງດັນຂອງອົງປະກອບຫນັກໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ແທນທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ໄລຍະຫ່າງເວລາຕໍາ່ສຸດທີ່.ມູນຄ່າເວລາປິດ Thyristor ແມ່ນຖືກກໍານົດສໍາລັບເງື່ອນໄຂການທົດສອບ, ບໍລິສັດ Run Austrian ຜະລິດອຸປະກອນ thyristor ທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງໄວ, ສະຫນອງເວລາປິດຂອງແຕ່ລະຄ່າທີ່ວັດແທກ, ບໍ່ໄດ້ອະທິບາຍໂດຍສະເພາະ, ເງື່ອນໄຂທີ່ສອດຄ້ອງກັນມີດັ່ງນີ້:
ITM-state peak current ເທົ່າກັບອຸປະກອນ ITAV;
ອັດຕາການຫຼຸດລົງໃນລັດໃນປະຈຸບັນ di / dt = -20A/μs;
ອັດຕາການເພີ່ມຂຶ້ນແຮງດັນທີ່ຫນັກແຫນ້ນ dv / dt = 30A / μs;
ແຮງດັນ Reverse VR = 50V;
ອຸນຫະພູມລະຫວ່າງກັນ Tj = 125 ° C.
ຖ້າທ່ານຕ້ອງການເງື່ອນໄຂການສະຫມັກສະເພາະໃນມູນຄ່າການທົດສອບນອກເວລາ, ທ່ານສາມາດຮ້ອງຂໍໃຫ້ພວກເຮົາ.
10.Critical rate ຂອງການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງ on-state current di/dt (SCR)
ຫມາຍເຖິງ thyristor ຈາກການຂັດຂວາງລັດໄປສູ່ສະຖານະ, thyristor ສາມາດທົນທານຕໍ່ອັດຕາການເພີ່ມຂຶ້ນສູງສຸດຂອງກະແສໄຟຟ້າໃນລັດ.ອຸປະກອນສາມາດທົນຕໍ່ສະຖານະການໃນປະຈຸບັນ Critical rate of rise di / dt gate trigger condition by a great impact, so we strongly recommend that users use the application trigger, trigger pulse current amplitude: IG ≥ 10IGT;pulse rise time: tr ≤ 1μs.
10. ອັດຕາທີ່ສໍາຄັນຂອງການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງແຮງດັນ off-state dv / dt
ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ກໍານົດ, ຈະບໍ່ເຮັດໃຫ້ thyristor ຈາກລັດ off ໄປສູ່ສະຖານະ on ແປງຄວາມໄວສູງສຸດຂອງແຮງດັນຕໍ່ຫນ້າທີ່ອະນຸຍາດ.ດໍາເນີນການຄູ່ມືຜະລິດຕະພັນຂອງບໍລິສັດ Austrian ໃຫ້ຂະຫນາດນ້ອຍສຸດຂອງແນວພັນທັງຫມົດ thyristor dv / dt ມູນຄ່າ, ໃນເວລາທີ່ຜູ້ໃຊ້ dv / dt ມີຄວາມຕ້ອງການພິເສດ, ສາມາດເຮັດໄດ້ໃນເວລາທີ່ສັ່ງ.
11.Gate trigger voltage VGT / Gate trigger ປັດຈຸບັນ IGT
ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ກໍານົດ, ເພື່ອເຮັດໃຫ້ thyristor ປິດລັດໂດຍແຮງດັນປະຕູຮົ້ວຂັ້ນຕ່ໍາທີ່ຕ້ອງການແລະປະຈຸບັນ.Thyristor ເປີດໃນລະຫວ່າງຊົ່ວໂມງເປີດ, ການສູນເສຍການເປີດແລະການປະຕິບັດແບບເຄື່ອນໄຫວອື່ນໆໂດຍການສະຫມັກຢູ່ໃນປະຕູຂອງຕົນຜົນກະທົບຕໍ່ສັນຍານຜົນກະທົບຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.ຖ້າໃນການນໍາໃຊ້ IGT ທີ່ສໍາຄັນກວ່າເພື່ອກະຕຸ້ນ thyristor, thyristor ຈະບໍ່ປ່ອຍໃຫ້ມີລັກສະນະເປີດທີ່ດີ, ໃນບາງກໍລະນີກໍ່ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມລົ້ມເຫລວກ່ອນໄວອັນຄວນຫຼືຄວາມເສຍຫາຍຕໍ່ອຸປະກອນ.ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງແນະນໍາວ່າຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງຜູ້ໃຊ້ທີ່ໃຊ້ໂຫມດກະຕຸ້ນທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ກໍາມະຈອນເຕັ້ນແຮງກະຕຸ້ນໃນປະຈຸບັນ: IG ≥ 10IGT;pulse rise time: tr ≤ 1μs.ເພື່ອຮັບປະກັນການເຮັດວຽກທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຂອງອຸປະກອນ, IG ຕ້ອງມີຂະຫນາດໃຫຍ່ກວ່າ IGT ຫຼາຍ.
12.Crusts resistance Rjc
ຫມາຍເຖິງອຸປະກອນພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ລະບຸໄວ້, ອຸປະກອນກໍາລັງໄຫຼຈາກຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ໄປຫາກໍລະນີອຸນຫະພູມທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນຕໍ່ວັດ.ຄວາມຕ້ານທານຂອງ crusts ສະທ້ອນໃຫ້ເຫັນຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນ, ພາລາມິເຕີນີ້ມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ປະສິດທິພາບການຈັດອັນດັບອຸປະກອນ.ດໍາເນີນການຄູ່ມືຜະລິດຕະພັນຂອງບໍລິສັດອອສເຕີຍສໍາລັບອຸປະກອນເຮັດຄວາມເຢັນດ້ານຮາບພຽງສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນສະຫມໍ່າສະເຫມີຂອງໂມດູນພະລັງງານ semiconductor, ເຮັດໃຫ້ຄວາມເຢັນດ້ານດຽວມີຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ.ຜູ້ໃຊ້ຄວນສັງເກດວ່າສ່ວນຮາບພຽງຂອງຜົນກະທົບຄວາມຮ້ອນ crust ໂດຍກົງໂດຍເງື່ອນໄຂການຕິດຕັ້ງ, ພຽງແຕ່ອີງຕາມຄູ່ມືສໍາລັບການຕິດຕັ້ງຜົນບັງຄັບໃຊ້ mounting ແນະນໍາໃນຄໍາສັ່ງເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການ crusts.