Phase Control Thyristor (ປະເພດໂລຫະປະສົມ)

ລາຍລະອຽດ:

Thyristor, ເຊິ່ງເອີ້ນກັນວ່າ Silicon Control Rectifier (SCR), ແມ່ນອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ມີພະລັງງານສູງທີ່ປະກອບດ້ວຍສາມໂຄງສ້າງ PN.ໃນແງ່ຂອງການປະຕິບັດ, thyristor ບໍ່ພຽງແຕ່ມີການນໍາທາງ unidirectional, ແຕ່ຍັງມີການຄວບຄຸມທີ່ມີຄຸນຄ່າຫຼາຍກ່ວາອົງປະກອບ rectifier ຊິລິຄອນ, ເຊິ່ງມີພຽງແຕ່ສອງລັດຂອງການນໍາແລະນອກລັດ, ເພື່ອຄວບຄຸມພະລັງງານຂະຫນາດໃຫຍ່ດ້ວຍພະລັງງານຂະຫນາດນ້ອຍ, ການຂະຫຍາຍພະລັງງານສູງເຖິງຫຼາຍຮ້ອຍຫຼື. ຫລາຍພັນເທື່ອ.ປະຕິກິລິຍາແມ່ນໄວຫຼາຍ, ເປີດແລະປິດໃນຈຸນລະວິນາທີ.ການດໍາເນີນງານທີ່ບໍ່ແມ່ນການຕິດຕໍ່, ບໍ່ມີ sparks, ບໍ່ມີສິ່ງລົບກວນ, ໃນຂະນະທີ່ປະສິດທິພາບສູງແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ.ດັ່ງນັ້ນ, ໂດຍສະເພາະໃນລະບົບການສະຫນອງພະລັງງານສູງ, thyristor ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນວົງຈອນ rectifier, ສະຫຼັບ bypass static, ສະຫຼັບຜົນຜະລິດທີ່ບໍ່ມີການຕິດຕໍ່ແລະວົງຈອນອື່ນໆ.

ມາດຕະຖານການຜະລິດ thyristor ແລະເຕັກໂນໂລຍີການປຸງແຕ່ງຂອງ RUNAU Electronics ໄດ້ຖືກນໍາສະເຫນີຈາກສະຫະລັດອາເມລິກາຕັ້ງແຕ່ປີ 1980, ໃນຖານະເປັນຜູ້ບຸກເບີກການຜະລິດ thyristor ໃນປະເທດຈີນ, ທີມງານດ້ານວິຊາການຂອງ RUNAU ໄດ້ຮັບຄວາມຮູ້ທີ່ທັນສະ ໄໝ ແລະປະສົບການການຜະລິດທີ່ພຽງພໍຫຼາຍກວ່າ 30 ປີ.ບົນພື້ນຖານຂອງຂະບວນການຜະລິດແບບດັ້ງເດີມ, ນັກວິຊາການທີ່ມີພອນສະຫວັນຂອງ RUNAU Electronics ໄດ້ພັດທະນາເທກໂນໂລຍີສິລະປະຂອງລັດໃນການຜະລິດ thyristor ທີ່ມີຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນປະໂຫຍດຂອງຜະລິດຕະພັນເອີຣົບ, ຄຸນນະພາບແລະການປະຕິບັດໄດ້ຖືກປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ໄຊຊະນະອັນໃຫຍ່ຫຼວງຫຼາຍບັນລຸໄດ້ໃນການນໍາໃຊ້ພະລັງງານໄຟຟ້າ. ຊ່ອງຂໍ້ມູນ, ແລະມູນຄ່າເພີ່ມເຕີມໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນສໍາລັບຄູ່ຮ່ວມງານ.

ແນະນຳ:

1. ຊິບ

ຊິບ thyristor ທີ່ຜະລິດໂດຍ RUNAU Electronics ແມ່ນໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີການປະສົມ sintered.ແຜ່ນ silicon ແລະ molybdenum wafer ໄດ້ຖືກ sintered ສໍາລັບໂລຫະປະສົມໂດຍອາລູມິນຽມບໍລິສຸດ (99.999%) ພາຍໃຕ້ສູນຍາກາດສູງແລະອຸນຫະພູມສູງສະພາບແວດລ້ອມ.ການບໍລິຫານຂອງຄຸນລັກສະນະ sintering ແມ່ນປັດໃຈສໍາຄັນທີ່ຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄຸນນະພາບຂອງ thyristor.ຄວາມຮູ້ຂອງ RUNAU Electronics ນອກເຫນືອຈາກການຄຸ້ມຄອງຄວາມເລິກຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ໂລຫະປະສົມ, ຄວາມຮາບພຽງຢູ່ດ້ານ, ຊ່ອງໂລຫະປະສົມເຊັ່ນດຽວກັນກັບທັກສະການແຜ່ກະຈາຍຢ່າງເຕັມທີ່, ປະຕູສູນກາງ, ຮູບແບບວົງແຫວນໄດ້ຖືກນໍາມາໃຊ້ເພື່ອເຮັດໃຫ້ການດໍາເນີນງານທີ່ຫນ້າເຊື່ອຖືແລະປະສິດທິພາບສູງຂອງ thyristor, ເພື່ອ ຮັບປະກັນການປະຕິບັດຄຸນນະພາບສູງ.

2. Encapsulation

ໂດຍການຄວບຄຸມທີ່ເຄັ່ງຄັດຂອງຄວາມຮາບພຽງແລະຂະຫນານຂອງ molybdenum wafer ແລະຊຸດພາຍນອກ, chip ແລະ molybdenum wafer ຈະຖືກປະສົມປະສານກັບຊຸດພາຍນອກຢ່າງແຫນ້ນຫນາແລະສົມບູນ.ດັ່ງກ່າວຈະເພີ່ມປະສິດທິພາບຄວາມຕ້ານທານຂອງກະແສໄຟຟ້າແຮງດັນແລະກະແສໄຟຟ້າວົງຈອນສັ້ນສູງ.ແລະການວັດແທກເທກໂນໂລຍີການລະເຫີຍຂອງເອເລັກໂຕຣນິກໄດ້ຖືກຈ້າງເພື່ອສ້າງຮູບເງົາອາລູມິນຽມຫນາໃນຫນ້າດິນ wafer ຊິລິໂຄນ, ແລະຊັ້ນ ruthenium plated ເທິງຫນ້າ molybdenum ຈະຊ່ວຍເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມເມື່ອຍລ້າຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ໄລຍະເວລາການເຮັດວຽກຂອງ thyristor ຈະເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.

ສະເພາະດ້ານວິຊາການ

1. thyristor ຄວບຄຸມໄລຍະທີ່ມີຊິບປະເພດໂລຫະປະສົມທີ່ຜະລິດໂດຍ RUNAU Electronics, ລະດັບ I_TAVຈາກ 300A ຫາ 6000A ແລະ V_DRM/V_RRMຈາກ 800V ຫາ 4400V.
2. I_GT, ວ_GTແລະ​ຂ້ອຍ_Hແມ່ນຄ່າການທົດສອບຢູ່ທີ່ 25 ℃, ເວັ້ນເສຍແຕ່ໄດ້ລະບຸໄວ້ເປັນຢ່າງອື່ນ, ຕົວກໍານົດການອື່ນໆທັງຫມົດແມ່ນຄ່າການທົດສອບພາຍໃຕ້ T._jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal half wave width ຖານປັດຈຸບັນ.ຢູ່ທີ່ 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. ທີ່ 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

ພາຣາມິເຕີ: