ລາຍລະອຽດ:

ຊິບ thyristor Square ແມ່ນປະເພດຂອງຊິບ thyristor, ແລະໂຄງສ້າງ semiconductor ສີ່ຊັ້ນທີ່ມີສາມ PN junctions, ລວມທັງປະຕູຮົ້ວ, cathode, silicon wafer ແລະ anode.cathode, silicon wafer ແລະ anode ທັງຫມົດແມ່ນຮາບພຽງແລະຮູບສີ່ຫຼ່ຽມມົນ.ຂ້າງຫນຶ່ງຂອງ wafer ຊິລິໂຄນແມ່ນຕິດກັບ cathode, ອີກດ້ານຫນຶ່ງແມ່ນຕິດກັບ anode, ຂຸມນໍາຖືກເປີດຢູ່ໃນ cathode, ແລະປະຕູຮົ້ວໄດ້ຖືກຈັດລຽງຢູ່ໃນຂຸມ.ປະຕູຮົ້ວ, cathode ແລະດ້ານ anode ແມ່ນ lined ດ້ວຍວັດສະດຸ solder.ຂະບວນການຜະລິດຕົ້ນຕໍປະກອບມີ: ການເຮັດຄວາມສະອາດຊິລິໂຄນ wafer, ການແຜ່ກະຈາຍ, ການຜຸພັງ, photolithography, corrosion, ການປ້ອງກັນ passivation, metallization, ການທົດສອບແລະ dicing.

ຫຼັກການຜະລິດ:

• ITAV=25A~200A,

• VRRM=1600V

ປະເພດປະຕູ:

• ປະຕູຮົ້ວສາມຫຼ່ຽມ: ITAV=25A~60A

• ປະຕູຮອບສູນ: ITAV=110A~200A

ໂຄງສ້າງ:

• ສອງ mesa

• anode Metallized ແມ່ນໂລຫະຫຼາຍຊັ້ນ TiNiAg ຫຼື Al+TiNiAg

•ຊັ້ນ cathode ໂລຫະແມ່ນ Al ຫຼື TiNiAg

ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ:

•ການແຜ່ກະຈາຍຂອງອາລູມິນຽມ, ການຫຼຸດລົງຂອງແຮງດັນໃນລັດຕ່ໍາ, ແຮງດັນຕັນສູງ

• ຮູບຮ່າງມຸມລົບສອງເທົ່າ

• ອຸປະກອນປ້ອງກັນ Passivation: SIPOS+GLASS+LTO

• IL ຕ່ໍາແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກກ້ວາງ

•ຊັ້ນອະລູມິນຽມຫນາແລະຜູກມັດງ່າຍ

• ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຕົວກະຕຸ້ນທີ່ດີເລີດ