ໄວສະຫຼັບ Thyristor

ລາຍລະອຽດ:

thyristor ປ່ຽນໄວ, ມີໂຄງສ້າງດຽວກັນແລະສັນຍາລັກຂອງການຄວບຄຸມໄລຍະ thyristor, ໃນຂະນະທີ່ລັກສະນະ static ທີ່ດີກວ່າ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນລັກສະນະແບບເຄື່ອນໄຫວແມ່ນຕ້ອງການໂດຍຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຄວາມຖີ່ສູງຂອງ rectification, chopping, inverter ແລະວົງຈອນການແປງຄວາມຖີ່.ຕົວກໍານົດການແບບເຄື່ອນໄຫວຂອງ thyristor ໄວແມ່ນຄວາມໄວເປີດແລະຄວາມໄວການຂະຫຍາຍການເປີດໄວ, ຄ່າບໍລິການການຟື້ນຕົວຫນ້ອຍລົງ, ແລະເວລາປິດເຄື່ອງສັ້ນ, ອັດຕາການເພີ່ມຂຶ້ນທີ່ສໍາຄັນຂອງກະແສໄຟຟ້າໃນລັດ (di/dt) ແລະອັດຕາທີ່ສໍາຄັນຂອງ ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງແຮງດັນນອກລັດ (dv/dt).ປະຈຸບັນການຈັດອັນດັບຂອງ thyristor ໄວພາຍໃນຄວາມຖີ່ການຈັດອັນດັບບໍ່ໄດ້ຫຼຸດລົງຫຼືຫຼຸດລົງເລັກນ້ອຍເມື່ອຄວາມຖີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.

ມາດຕະຖານການຜະລິດ thyristor ສະຫຼັບໄວແລະເຕັກໂນໂລຢີການປຸງແຕ່ງຂອງ RUNAU Electronics ໄດ້ຖືກນໍາສະເຫນີຈາກສະຫະລັດອາເມລິກາຕັ້ງແຕ່ປີ 1980, ໃນຖານະຜູ້ບຸກເບີກການຜະລິດ thyristor ໃນປະເທດຈີນ, ທີມງານດ້ານວິຊາການຂອງ RUNAU ໄດ້ຮັບຄວາມຮູ້ທີ່ທັນສະ ໄໝ ແລະປະສົບການການຜະລິດທີ່ພຽງພໍຫຼາຍກວ່າ 30 ປີ.ບົນພື້ນຖານຂອງຂະບວນການຜະລິດແບບດັ້ງເດີມ, ນັກວິຊາການທີ່ມີພອນສະຫວັນຂອງ RUNAU Electronics ໄດ້ພັດທະນາເທກໂນໂລຍີສິລະປະຂອງລັດໃນການຜະລິດ thyristor ທີ່ມີຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນປະໂຫຍດຂອງຜະລິດຕະພັນເອີຣົບ, ຄຸນນະພາບແລະການປະຕິບັດໄດ້ຖືກປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ໄຊຊະນະໃຫຍ່ຫຼາຍບັນລຸໄດ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, ແລະມູນຄ່າເພີ່ມເຕີມໄດ້ຖືກສ້າງຂຶ້ນສໍາລັບຄູ່ຮ່ວມງານ.

ແນະນຳ:

1. ຊິບ

ຊິບ thyristor ທີ່ຜະລິດໂດຍ RUNAU Electronics ແມ່ນໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີການປະສົມ sintered.ແຜ່ນ silicon ແລະ molybdenum wafer ໄດ້ຖືກ sintered ສໍາລັບໂລຫະປະສົມໂດຍອາລູມິນຽມບໍລິສຸດ (99.999%) ພາຍໃຕ້ສູນຍາກາດສູງແລະອຸນຫະພູມສູງສະພາບແວດລ້ອມ.ການບໍລິຫານຂອງຄຸນລັກສະນະ sintering ແມ່ນປັດໃຈສໍາຄັນທີ່ຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄຸນນະພາບຂອງ thyristor.ຄວາມຮູ້ຂອງ RUNAU Electronics ນອກເຫນືອຈາກການຄຸ້ມຄອງຄວາມເລິກຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ໂລຫະປະສົມ, ຄວາມຮາບພຽງຂອງຫນ້າດິນ, ຊ່ອງໂລຫະປະສົມເຊັ່ນດຽວກັນກັບທັກສະການແຜ່ກະຈາຍຢ່າງເຕັມທີ່, ຮູບແບບວົງແຫວນ, ໂຄງສ້າງປະຕູພິເສດ.ນອກຈາກນີ້, ການປຸງແຕ່ງພິເສດໄດ້ຖືກຈ້າງງານເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຊີວິດຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂອງອຸປະກອນ, ດັ່ງນັ້ນຄວາມໄວການປະສົມພາຍໃນຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການພາຍໃນໄດ້ຖືກເລັ່ງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ຄ່າບໍລິການການຟື້ນຕົວຄືນຂອງອຸປະກອນຫຼຸດລົງ, ແລະຄວາມໄວການສະຫຼັບໄດ້ຖືກປັບປຸງຕາມລໍາດັບ.ການວັດແທກດັ່ງກ່າວໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບລັກສະນະການປ່ຽນແປງທີ່ໄວ, ຄຸນລັກສະນະຂອງລັດ, ແລະຊັບສິນໃນປະຈຸບັນເພີ່ມຂຶ້ນ.ການປະຕິບັດແລະການດໍາເນີນການຂອງ thyristor ແມ່ນເຊື່ອຖືໄດ້ແລະປະສິດທິພາບ.

2. Encapsulation

ໂດຍການຄວບຄຸມທີ່ເຄັ່ງຄັດຂອງຄວາມຮາບພຽງແລະຂະຫນານຂອງ molybdenum wafer ແລະຊຸດພາຍນອກ, chip ແລະ molybdenum wafer ຈະຖືກປະສົມປະສານກັບຊຸດພາຍນອກຢ່າງແຫນ້ນຫນາແລະສົມບູນ.ດັ່ງກ່າວຈະເພີ່ມປະສິດທິພາບຄວາມຕ້ານທານຂອງກະແສໄຟຟ້າແຮງດັນແລະກະແສໄຟຟ້າວົງຈອນສັ້ນສູງ.ແລະການວັດແທກເທກໂນໂລຍີການລະເຫີຍຂອງເອເລັກໂຕຣນິກໄດ້ຖືກຈ້າງເພື່ອສ້າງຮູບເງົາອາລູມິນຽມຫນາໃນຫນ້າດິນ wafer ຊິລິໂຄນ, ແລະຊັ້ນ ruthenium plated ເທິງຫນ້າ molybdenum ຈະຊ່ວຍເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມເຫນື່ອຍລ້າຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ຊີວິດການເຮັດວຽກຂອງ thyristor ປ່ຽນໄວຈະເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.

ສະເພາະດ້ານວິຊາການ

1. thyristor ສະຫຼັບໄວດ້ວຍຊິບປະເພດໂລຫະປະສົມທີ່ຜະລິດໂດຍ RUNAU Electronics, ລະດັບ I_TAVຈາກ 200A ຫາ 4000A ແລະ V_DRM/V_RRMຈາກ 1200V ຫາ 4500V.
2. I_GT, ວ_GTແລະ​ຂ້ອຍ_Hແມ່ນຄ່າການທົດສອບຢູ່ທີ່ 25 ℃, ເວັ້ນເສຍແຕ່ໄດ້ລະບຸໄວ້ເປັນຢ່າງອື່ນ, ຕົວກໍານົດການອື່ນໆທັງຫມົດແມ່ນຄ່າການທົດສອບພາຍໃຕ້ T._jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal half wave width ຖານປັດຈຸບັນ.ຢູ່ທີ່ 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. ທີ່ 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

ພາຣາມິເຕີ: