Phase Control Thyristor (ປະເພດລອຍຟຣີ)

ລາຍລະອຽດ:

ດ້ວຍການພັດທະນາການເພີ່ມພະລັງງານແລະຄວາມອາດສາມາດຂອງອຸປະກອນແປງ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນລະບົບສາຍສົ່ງ HVDC, ຄວາມອາດສາມາດຂອງພະລັງງານຜົນຜະລິດຂອງຫນ່ວຍ thyristor ໄດ້ຖືກຮ້ອງຂໍໃຫ້ເພີ່ມຂຶ້ນຕາມຄວາມເຫມາະສົມ, ດັ່ງກ່າວຈະຫຼຸດລົງປະລິມານການຕິດຕັ້ງຂອງ thyristor ໃນຊຸດແລະວົງຈອນເຊື່ອມຕໍ່ຂະຫນານ.ຂະຫນາດແລະນ້ໍາຫນັກຂອງອຸປະກອນຈະຫຼຸດລົງ, ການລົງທຶນຕ່ໍາ, ເຖິງແມ່ນວ່າແຮງດັນໄຟຟ້າໃນປະຈຸບັນແລະແມ້ແຕ່ຈະຖືກຮັບຮູ້ໄດ້ງ່າຍ, ການດໍາເນີນງານທີ່ຫນ້າເຊື່ອຖືແລະມູນຄ່າການຄ້າຈະເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.

ເທກໂນໂລຍີຊິລິໂຄນລອຍຟຣີທີ່ໃຊ້ໃນການຜະລິດ thyristor ທີ່ມີພະລັງງານສູງໃນປະຈຸບັນຈະຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກມາດຕະຖານສູງ.ແລະໃນປີ 2019 ເດືອນກໍລະກົດ, RUNAU Electronics ໄດ້ພັດທະນາ 5200V thyristor ທີ່ມີຊິບ 5 "ສົບຜົນສໍາເລັດແລະສະຫນອງໃຫ້ແກ່ລູກຄ້າທີ່ນໍາໃຊ້ໃນໂຄງການ HVDC ຂອງຈີນ.

ແນະນຳ:

1. ຊິບ

ຊິບ thyristor ມາດຕະຖານສູງທີ່ຜະລິດໂດຍ RUNAU Electronics ແມ່ນນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີທີ່ເລື່ອນໄດ້ໂດຍບໍ່ເສຍຄ່າ.ມັນ​ເປັນ​ການ​ຮັບ​ຮູ້​ດີ​ເປັນ​ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​ຫລ້າ​ສຸດ​ແລະ​ແກ່​ສໍາ​ລັບ​ການ​ຜະ​ລິດ thyristor ແຮງ​ດັນ​ສູງ​ພະ​ລັງ​ງານ​ສູງ​.ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໂດຍຜູ້ຜະລິດລະດັບໂລກຫຼາຍທີ່ສຸດ.

ຂະບວນການກະຈາຍໄດ້ຖືກປັບປຸງໃຫ້ດີທີ່ສຸດໃນຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະຄວາມກວ້າງເພື່ອເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານແຮງດັນ, ຫຼຸດຜ່ອນການຫຼຸດລົງຂອງແຮງດັນໄຟຟ້າໃນລັດ, ແລະປັບປຸງລັກສະນະກະຕຸ້ນແລະການເຄື່ອນໄຫວ.ຮູບ​ແບບ photolithography ໃໝ່​ໄດ້​ຖືກ​ອອກ​ແບບ​ເພື່ອ​ເສີມ​ຂະ​ຫຍາຍ​ຄຸນ​ສົມ​ບັດ di/dt ແລະ dv/dt.ໂຄງສ້າງການຕິດຕໍ່ຂອງຊິບໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນໃຫມ່ເພື່ອປົກປ້ອງຂອບຂອງຊິລິໂຄນ wafer ແລະດ້ານ cathode, ການປະຕິບັດແຮງດັນທາງກົງກັນຂ້າມຈະໄດ້ຮັບການປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.

2. Encapsulation

ປະໂຫຍດຂອງເທກໂນໂລຍີຊິລິໂຄນລອຍຟຣີແມ່ນການຜິດປົກກະຕິລະຫວ່າງ silicon ແລະ molybdenum wafer restrained ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະການບໍລິໂພກ molybdenum wafer ຫຼຸດລົງ.ໃນຂະນະທີ່ຄວາມຮາບພຽງຂອງແຜ່ນຊິລິໂຄນ wafer ແລະທອງແດງຂອງຊຸດແມ່ນຕ້ອງການສູງເຊັ່ນດຽວກັນ, ຄວາມຕ້ອງການຂະຫນານແລະຄວາມຫຍາບແມ່ນສູງກ່ວາເຕັກໂນໂລຊີຊິບໂລຫະປະສົມ.ໂດຍການປັບປຸງແລະການປະດິດສ້າງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, RUNAU Electronic ໄດ້ເອົາຊະນະຄວາມຫຍຸ້ງຍາກດ້ານວິຊາການແລະອຸປະສັກທັງຫມົດ.ເທກໂນໂລຍີລອຍນ້ໍາແບບບໍ່ເສຍຄ່າ, thyristor ແຮງດັນສູງທີ່ມີປະສິດຕິພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ແລະການແກ້ໄຂທີ່ມີປະສິດທິພາບທາງດ້ານການຄ້າໄດ້ຖືກພັດທະນາແລະສະຫນອງໃຫ້ແກ່ລູກຄ້າ.ສ່ວນໃຫຍ່ຂອງພວກເຂົາແມ່ນຕິດຕັ້ງຢູ່ໃນ rectifier ຄວບຄຸມພະລັງງານສູງ, ແຮງດັນສູງ soft starter, ສາຍສົ່ງໄຟຟ້າ HVDC, locomotive traction, ການຊົດເຊີຍພະລັງງານ reactive dynamic ແລະລະບົບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກພະລັງງານກໍາມະຈອນ.

ສະເພາະດ້ານວິຊາການ

1. thyristor ຄວບຄຸມໄລຍະທີ່ມີຊິບປະເພດໂລຫະປະສົມທີ່ຜະລິດໂດຍ RUNAU Electronics, ລະດັບ I_TAVຈາກ 350A ຫາ 5580A ແລະ V_DRM/V_RRMຈາກ 3400V ຫາ 8500V.
2. I_GT, ວ_GTແລະ​ຂ້ອຍ_Hແມ່ນຄ່າການທົດສອບຢູ່ທີ່ 25 ℃, ເວັ້ນເສຍແຕ່ໄດ້ລະບຸໄວ້ເປັນຢ່າງອື່ນ, ຕົວກໍານົດການອື່ນໆທັງຫມົດແມ່ນຄ່າການທົດສອບພາຍໃຕ້ T._jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal half wave width ຖານປັດຈຸບັນ.ຢູ່ທີ່ 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. ທີ່ 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

ພາລາມິເຕີ: